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Suppression of Gate Oxide Degradation for MOS Devices Using Deuterium Ion Implantation Method
소개글
Author: Lee Jae-Sung Organization: Lee Jae-Sung Publish: Transactions on Electrical and Electronic Materials Volume 13, Issue4, p188~191, 25 Aug 2012
태그
Deuterium
Ion implantation
Gate oxide
Reliability
저작시기
2012-08월
등록일
2016-07-15
파일형식
pdf
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