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10 nm 이하 비대칭 DGMOSFET의 채널도핑농도에 따른 터널링 전류
소개글 Publish: Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering Volume 19, Issue7, p1617~1622, July 2015
태그
  • 비대칭
  • 터널링 전류
  • 포아송방정식
  • 산화막두께
  • 도핑농도
  • WKB 근사

저작시기 2015-07월

등록일 2016-08-08

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