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비대칭 DGMOSFET의 문턱전압이하 스윙에 대한 게이트 산화막 의존성 분석
소개글 ##Publish: Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering Volume 18, Issue4, p885~890, 30 Apr 2014
태그
  • 비대칭 DGMOSFET
  • 문턱전압이하 스윙
  • 가우스함수
  • 포아송방정식
  • 게이트 산화막 두께

저작시기 2014-04월

등록일 2016-08-09

파일형식 pdf

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